Stor effektivitet og holdbarhet 3L TO-220AB SiC-diode

Kort beskrivelse:

Emballasjestruktur: 3L TO-220AB

Introduksjon: YUNYI 3L TO-220AB SiC Diode er laget av silisiumkarbidmaterialer. SiC-dioder har høy varmeledningsevne, noe som effektivt kan forbedre effekttettheten. Jo høyere termisk ledningsevne, jo sterkere er materialets evne til å overføre varme til omgivelsene, jo mindre temperaturøkning på enheten, jo mer bidrar til å forbedre strømtettheten til kraftenheten, så den er mer egnet for arbeid i et miljø med høy temperatur. Den høye nedbrytningsfeltstyrken til SiC-dioder øker motstandsspenningen og reduserer størrelsen, og den høye elektroniske nedbrytningsfeltstyrken øker nedbrytningsspenningen til halvlederkraftenheter. På samme tid, på grunn av økningen av elektronnedbrytningsfeltstyrken, i tilfelle av å øke urenheters penetrasjonstetthet, kan bredbåndet til driftområdet til SiC-diodekraftenheten reduseres, slik at størrelsen på kraftenheten kan reduseres.

Send e-post til oss

Produktdetaljer

Overvåking av responstid

Måleområde

Produktetiketter

Fordeler med YUNYIs 3L TO-220AB SiC-diode:

1. Konkurransedyktige kostnader med høy kvalitet

2. Høy produksjonseffektivitet med kort ledetid

3. Liten størrelse, bidrar til å optimalisere kretskortplassen

4. Holdbar under ulike naturlige miljøer

5. Egenutviklet chip med lite tap

Trinn for brikkeproduksjon:

1. Mekanisk utskrift (Supernøyaktig automatisk wafer-utskrift)

2. Automatisk første-etsing (automatisk etsingsutstyr, CPK>1,67)

3. Automatisk polaritetstest (nøyaktig polaritetstest)

4. Automatisk montering (selvutviklet automatisk presis montering)

5. Lodding (beskyttelse med blanding av nitrogen og hydrogen vakuumlodding)

6. Automatisk andre-etsing (Automatisk andre-etsing med ultrarent vann)

7. Automatisk liming (uniform liming og presis beregning er realisert av automatisk presis limingutstyr)

8. Automatisk termisk test (automatisk valg av termisk tester)

9. Automatisk test (multifunksjonstester)

Parametre for produkter:

Delenummer	Pakke	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRF10650CT	ITO-220AB	650	10	60	60	1.7
ZICRF5650	ITO-220AC	650	5	60	60	2
ZICRF6650	ITO-220AC	650	6	60	50	2
Z3D06065F	ITO-220AC	650	6	70	3 (vanlig 0,03)	1,7 (1,5 typisk)
ZICRF10650	ITO-220AC	650	10	100	120	1.7
ZICRF101200	ITO-220AC	1200	10	110	100	1.8
ZICRF12600	ITO-220AC	600	12	50	150	1.7
ZICRF12650	ITO-220AC	650	12	50	150	1.7
Z3D03065F	ITO-220AC	650	3	46	2 (vanlig 0,03)	1,7 (1,4 typisk)
Z3D10065F	ITO-220AC	650	10	115	40 (vanlig 0,7)	1,7 (1,45 typisk)
Z4D10120F	ITO-220AC	1200	10	105	200 (30 typisk)	1,8 (1,5 typisk)
ZICR10650CT	TO-220AB	650	10	60	60	1.7
Z3D20065C	TO-220AB	650	20	115 (per etappe)	40(0,7 typisk)(per etappe)	1,7(1,45 typisk)(per etappe)
ZICR5650	TO-220AC	650	5	60	60	2
ZICR6650	TO-220AC	650	6	60	50	2
Z3D06065A	TO-220AC	650	6	70	3 (vanlig 0,03)	1,7 (1,5 typisk)
Z3D10065A	TO-220AC	650	10	115	40 (vanlig 0,7)	1,7 (1,45 typisk)
ZICR10650	TO-220AC	650	10	110	100	1.7
Z3D20065A	TO-220AC	650	20	170	50 (1,5 typisk)	1,7 (1,45 typisk)
ZICR101200	TO-220AC	1200	10	110	100	1.8
ZICR12600	TO-220AC	600	12	50	150	1.7
ZICR12650	TO-220AC	650	12	50	150	1.7
Z3D03065A	TO-220AC	650	3	46	2 (vanlig 0,03)	1,7 (1,4 typisk)
Z4D04120A	TO-220AC	1200	4	46	200 (20 typisk)	1,8 (1,5 typisk)
Z4D05120A	TO-220AC	1200	5	46	200 (20 typisk)	1,8 (1,65 typisk)
Z4D02120A	TO-220AC	1200	2	44	50 (10 typisk)	1,8 (1,5 typisk)
Z4D10120A	TO-220AC	1200	10	105	200 (30 typisk)	1,8 (1,5 typisk)
Z4D20120A	TO-220AC	1200	20	162	200 (35 typisk)	1,8 (1,5 typisk)
Z4D08120A	TO-220AC	1200	8	64	200 (35 typisk)	1,8(1,6 typisk)
Z4D15120A	TO-220AC	1200	15	100	200 (35 typisk)	1,8 (1,5 typisk)
Z3D15065A	TO-220AC	650	15	162	25 (vanlig 0,5)	1,7 (1,5 typisk)
Z3D06065I	TO-220-Isolering	650	6	70	3 (vanlig 0,03)	1,7 (1,5 typisk)
Z3D10065I	TO-220-Isolering	650	10	115	40 (vanlig 0,7)	1,7 (1,45 typisk)